发明名称 |
分离栅功率器件的栅极结构及工艺方法 |
摘要 |
本发明公开了一种分离栅功率器件的栅极结构,在硅衬底上具有沟槽,沟槽侧壁及底部附着有一层氧化层,沟槽内下部具有分离栅极,分离栅极上部同样覆盖有一层氧化硅,与沟槽侧壁及底部的氧化硅层一起将分离栅极形成包围,沟槽上部为栅极,硅衬底表面为绝缘层,金属引线通过穿通绝缘层的接触孔将栅极引出。所述的栅极为U型结构的多晶硅薄栅,其内部填充满金属钨,接触孔与填充的金属钨连接,将栅极引出。本发明还公开了所述分离栅功率器件的栅极结构的工艺方法。 |
申请公布号 |
CN104465728A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410835652.7 |
申请日期 |
2014.12.24 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
冯岩 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种分离栅功率器件的栅极结构,在硅衬底上具有沟槽,沟槽侧壁及底部附着有一层氧化层,沟槽内下部具有分离栅极,分离栅极上部同样覆盖有一层氧化硅,与沟槽侧壁及底部的氧化硅层一起将分离栅极形成包围,沟槽上部为栅极,硅衬底表面为绝缘层,金属引线通过穿通绝缘层的接触孔将栅极引出,其特征在于:所述的栅极为U型结构,其内部填充有金属,接触孔与填充的金属连接。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |