| 发明名称 | 半导体元件及制造半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体元件和制造半导体元件的方法。半导体元件包括具有沟槽的有源区、在有源区外侧的端子区、设置在有源区和端子区之间的过渡区，过渡区包括内侧沟槽，其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽的内，至少两个栅极多晶硅电极邻近于中心多晶硅电极的上部设置，p-本体区设置在沟槽的上部之间，源区设置在栅极多晶硅电极的侧面。 | ||
| 申请公布号 | CN104465764A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410332343.8 | 申请日期 | 2014.07.11 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 金荣载 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;谭昌驰 |
| 主权项 | 一种半导体元件，所述半导体元件包括：有源区，包括沟槽；端子区，在有源区外侧；过渡区，设置在有源区和端子区之间，过渡区包括内侧沟槽，其中，中心多晶硅电极设置在有源区的沟槽中的至少一个沟槽内；至少两个栅极多晶硅电极邻近于中心多晶硅电极的上部设置；p‑本体区设置在沟槽的上部之间；以及源区设置在栅极多晶硅电极的侧面。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||