| 发明名称 | 发光二极管晶粒的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括以下步骤：提供一基板；在该基板表面形成缓冲层；在该缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在该过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对该过渡层进行活化处理，即对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm，且活化温度为1000-1400℃以及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。 | ||
| 申请公布号 | CN104465897A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310440192.3 | 申请日期 | 2013.09.25 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 杨顺贵;洪梓健 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 叶小勤 |
| 主权项 | 一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在所述过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对所述过渡层进行活化处理，其中对该过渡层进行激光照射，该激光的波长大于420nm，且活化温度为1000‑1400℃；及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||