一种各向异性磁阻坡莫合金缓冲层的制备方法

摘要

本发明公开了一种各向异性磁阻坡莫合金缓冲层的制备方法，该方法为将清洗干净的基片放入真空腔体，在整个工艺中通入氩气，缓冲层采用脉冲射频作为溅射电源进行沉积，然后沉积NiFe层，最后沉积覆盖层，本发明使用脉冲射频技术，该技术在沉积薄膜时，对靶枪间隙供电，由于脉冲射频为间隙沉积，为材料原子的在基片表面迁移提供了时间，提高了薄膜的平整度，从而增强了薄膜的结晶程度，提高了材料的AMR值；本发明通过脉冲射频沉积技术，使得沉积原子在基片表面充分迁移，提高缓冲层的表面平整度，在常温下能够更好的诱导NiFe薄膜结构的生长，增大晶粒粒径，从而提高坡莫合金薄膜的AMR值，并且会降低矫顽力，使薄膜的灵敏度变得更好。

主权项

一种各向异性磁阻坡莫合金缓冲层的制备方法，该方法是先在基片上沉积出缓冲层，然后再沉积上NiFe层，最后再覆盖上保护层，其特征在于：在沉淀缓冲层工序时，采用脉冲射频作为溅射电源在常温下在基片上沉积出缓冲层。