| 发明名称 | 光电半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种光电半导体元件及其制作方法。光电半导体元件包括基材、第一实心介层插塞、光电半导体芯片、荧光层以及封胶体。其中，第一实心介层插塞贯穿基材。光电半导体芯片封胶体，具有一第一电极，对准并与第一实心介层插塞电连接。荧光层覆盖于光电半导体芯片的至少一表面上。封胶体包覆基材、光电半导体芯片以及荧光层。 | ||
| 申请公布号 | CN104465932A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310426331.7 | 申请日期 | 2013.09.18 |
| 申请人 | 联京光电股份有限公司 | 发明人 | 钱文正;黄田昊;吴上义 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种光电半导体芯片封装结构，包括:基材；第一实心介层插塞，贯穿该基材;光电半导体芯片，具有一第一电极，对准并与该第一实心介层插塞电连接；荧光层，覆盖于该光电半导体芯片的至少一表面；以及封胶体，包覆该基材、该光电半导体芯片以及该荧光层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||