发明名称 一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极
摘要 本发明公开了一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极,包括圆柱状电极体、碟状焊接体和定位柱,所述圆柱状电极体一端开有螺孔,另一端与碟状焊接体一体连接,所述碟状焊接体另一端设有一体连接的定位柱,碟状焊接体周围均匀开设有三个进锡凹槽,碟状焊接体上设有压花纹。本发明的高焊接牢度的薄膜电容引出电极,使焊锡与电容器芯子端面喷金层及焊锡与碟状焊接体均达到可靠焊接,焊接牢度高,大大降低了接触电阻Re,提高了薄膜电容器的电性能,使其满足高电压、大电流的使用场合。
申请公布号 CN104465083A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410765266.5 申请日期 2014.12.11
申请人 铜陵市启动电子制造有限责任公司 发明人 万广文;钱立文
分类号 H01G4/228(2006.01)I 主分类号 H01G4/228(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极,其特征在于:包括圆柱状电极体、碟状焊接体和定位柱,所述圆柱状电极体一端开有螺孔,另一端与碟状焊接体一体连接,所述碟状焊接体另一端设有一体连接的定位柱,碟状焊接体周围均匀开设有三个进锡凹槽,碟状焊接体上设有压花纹。
地址 244199 安徽省铜陵市狮子山经济开发区经三路与纬三路交叉口(安徽晶澈光电科技有限公司内)