发明名称 光掩模坯料及其制造方法
摘要 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。
申请公布号 CN104460221A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410499354.5 申请日期 2014.09.25
申请人 信越化学工业株式会社 发明人 稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫
分类号 G03F1/00(2012.01)I;G03F1/36(2012.01)I;G03F1/78(2012.01)I 主分类号 G03F1/00(2012.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张永康;李英艳
主权项 一种光掩模坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,其特征在于,在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。
地址 日本东京都