发明名称 |
光掩模坯料及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。 |
申请公布号 |
CN104460221A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410499354.5 |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫 |
分类号 |
G03F1/00(2012.01)I;G03F1/36(2012.01)I;G03F1/78(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2012.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张永康;李英艳 |
主权项 |
一种光掩模坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,其特征在于,在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。 |
地址 |
日本东京都 |