| 发明名称 | 具有由氮化物半导体制成的缓冲层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。 | ||
| 申请公布号 | CN104465744A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410427698.5 | 申请日期 | 2014.08.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 石黑哲郎;小谷淳二;中村哲一 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在所述缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在所述第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在所述第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中，所述缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||