发明名称 集成电路的可靠性分析测试结构及其测试方法
摘要 本发明揭示了一种集成电路的可靠性分析测试结构,该测试结构包括:衬底、第一栅极结构、第一金属线结构、第二栅极结构、第二金属线结构以及电介质。本发明还揭示了该测试结构的测试方法,包括:根据所述的测试结构实际形成待测试结构;测试所述第一金属线结构和第二金属线结构之间的电学可靠性。在本发明的测试结构中,所述第一栅极结构与第二栅极结构平行排列,并横跨所述有源区和隔离区上,能准确评估有源区上的通孔与相邻栅极之间电介质的可靠性。
申请公布号 CN104465616A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201310435704.7 申请日期 2013.09.23
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 钟怡
分类号 H01L23/544(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;G01R31/28(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种集成电路的可靠性分析测试结构,包括:衬底,包含至少一有源区和至少一隔离区,所述有源区和隔离区平行排列;至少一第一栅极结构,位于所述衬底上,所述至少一第一栅极结构横跨所述有源区和隔离区上;第一金属线结构,通过第一通孔与所述至少一第一栅极结构连接;至少一第二栅极结构,位于所述衬底上,所述至少一第二栅极结构横跨所述有源区和隔离区上,并与所述至少一第一栅极结构平行排列;第二金属线结构,通过第二通孔与所述至少一第二栅极结构连接;电介质,所述衬底、第一栅极结构、第一通孔、第二栅极结构和第二通孔通过所述电介质绝缘间隔。
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