发明名称 |
集成电路的可靠性分析测试结构及其测试方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种集成电路的可靠性分析测试结构,该测试结构包括:衬底、第一栅极结构、第一金属线结构、第二栅极结构、第二金属线结构以及电介质。本发明还揭示了该测试结构的测试方法,包括:根据所述的测试结构实际形成待测试结构;测试所述第一金属线结构和第二金属线结构之间的电学可靠性。在本发明的测试结构中,所述第一栅极结构与第二栅极结构平行排列,并横跨所述有源区和隔离区上,能准确评估有源区上的通孔与相邻栅极之间电介质的可靠性。 |
申请公布号 |
CN104465616A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201310435704.7 |
申请日期 |
2013.09.23 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
钟怡 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;G01R31/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种集成电路的可靠性分析测试结构,包括:衬底,包含至少一有源区和至少一隔离区,所述有源区和隔离区平行排列;至少一第一栅极结构,位于所述衬底上,所述至少一第一栅极结构横跨所述有源区和隔离区上;第一金属线结构,通过第一通孔与所述至少一第一栅极结构连接;至少一第二栅极结构,位于所述衬底上,所述至少一第二栅极结构横跨所述有源区和隔离区上,并与所述至少一第一栅极结构平行排列;第二金属线结构,通过第二通孔与所述至少一第二栅极结构连接;电介质,所述衬底、第一栅极结构、第一通孔、第二栅极结构和第二通孔通过所述电介质绝缘间隔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |