发明名称 有机发光二极管显示装置及其制造方法
摘要 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素,其中,多个像素中的每个像素包括:开关晶体管,包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极;驱动晶体管,包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极;有机发光二极管,与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接,其中,第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
申请公布号 CN102074569B 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201010542442.0 申请日期 2010.11.10
申请人 三星显示有限公司 发明人 李源规;曹圭湜;梁泰勋;秋秉权;文相皓;崔宝京;朴容焕;崔埈厚;申旼澈;李仑揆
分类号 H01L27/32(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 韩明星;李娜娜
主权项 一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括:多条扫描线、多条数据线和设置在多条扫描线与多条数据线交叉的区域中的多个像素,其中,多个像素中的每个像素包括:开关晶体管,包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层以及设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层;驱动晶体管,包括第二半导体层、第二源电极、第二漏电极、设置在第二半导体层上方的第二栅电极以及设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层;有机发光二极管,与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接,其中,每个像素还包括设置在第一半导体层的部分区域上的第一蚀刻停止层以及设置在第二半导体层的部分区域上的第二蚀刻停止层,其中,第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层具有暴露第一栅电极的一部分的接触孔,扫描线中的一条通过所述接触孔接触第一栅电极。
地址 韩国京畿道龙仁市