控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备

摘要

本发明涉及控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备，具体而言，在通往偏置电极的射频(RF)功率传输路径内提供可变电容器，除阻抗匹配电路外，还有所述可变电容器也被提供在通往所述偏置电极的所述射频功率传输路径内。在脉冲模式中操作射频电源以通过所述射频功率传输路径发射射频功率脉冲到所述偏置电极。所述可变电容器的电容被设置用于在每个射频功率脉冲期间控制在所述偏置电极上方存在的衬底上形成直流偏置电压的速率。在所述衬底上形成所述直流偏置电压的速率控制暴露于从所述衬底发出的电磁场的等离子体内的离子能量分布和离子角分布。

主权项

一种用于在衬底的等离子体处理期间控制离子的方法，其包括：在通往偏置电极的射频(RF)功率传输路径内提供可变电容器，除阻抗匹配电路外，还有所述可变电容器也被提供在通往所述偏置电极的所述射频功率传输路径内；在脉冲模式中操作射频电源以通过所述射频功率传输路径发射射频功率脉冲到所述偏置电极；并且设置所述可变电容器的电容，从而在每个射频功率脉冲期间控制在所述偏置电极上方存在的衬底上形成直流(DC)偏置电压的速率，由此在所述衬底上形成所述直流偏置电压的所述速率控制暴露于由所述衬底发出的电磁场的等离子体内的离子能量分布和离子角分布。