| 发明名称 | 基于LTCC的多层烧结工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于LTCC的多层烧结工艺，它包括：低损耗基板制作步骤：用功率损耗小的电路基片代替LTCC上微波电路部分基片；大尺寸器件装配步骤：将大尺寸器件粘接在LTCC上并进行包裹加固；LTCC与金属腔连接的步骤：用载板过渡连接替换LTCC直接与金属腔连接；LTCC多芯片烧结步骤：将芯片在多个载板上组合后粘接在LTCC上，扩大热容。本发明提供了一种基于LTCC的多层烧结工艺，解决了LTCC介电常数大、损耗大、可焊性差、可返修性差，LTCC与铝合金材料热膨胀系数差异大导致装配困难等技术问题，提高了产品可靠性，具有很强的可操作性，经济可行。 | ||
| 申请公布号 | CN104446522A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201510000543.8 | 申请日期 | 2015.01.04 |
| 申请人 | 成都泰格微电子研究所有限责任公司 | 发明人 | 杜亚军;唐世芳 |
| 分类号 | C04B35/64(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人 | 袁英 |
| 主权项 | 基于LTCC的多层烧结工艺，其特征在于：它包括一个低损耗基板制作步骤、一个大尺寸器件装配步骤、一个LTCC与金属腔连接的步骤和一个LTCC多芯片烧结步骤；（1）低损耗基板制作步骤：用功率损耗小的电路基片代替LTCC上微波电路部分基片；（2）大尺寸器件装配步骤：将大尺寸器件粘接在LTCC上并进行包裹加固；（3）LTCC与金属腔连接的步骤：用载板过渡连接替换LTCC直接与金属腔连接；（4）LTCC多芯片烧结步骤：将芯片在多个载板上组合后粘接在LTCC上，扩大热容。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区新文路18号 | ||