| 发明名称 | 半导体铁电存储晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供即使是200nm以下的铁电体膜厚存储窗也大且具有优异的数据保持特性和优异的脉冲重写耐性等的FeFET(铁电场效应晶体管)。所述FeFET具有在有源极区(12)和漏极区(13)的半导体基体(10)上依次层叠有绝缘体(11)和栅电极导体(4)的结构，绝缘体(11)是在基体(10)上依次层叠第一绝缘体(1)、第二绝缘体(2)而构成，第二绝缘体(2)的主成分为锶和钙和铋和钽的氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN104471702A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201380030192.4 | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 酒井滋树;张*;高桥光惠 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘航;段承恩 |
| 主权项 | 一种半导体铁电存储晶体管，具有在有源极区和漏极区的半导体基体上依次层叠有绝缘体和栅电极导体的结构，该半导体铁电存储晶体管的特征在于，所述绝缘体包含铁电性绝缘体，所述铁电性绝缘体包含锶和钙和铋和钽的氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||