| 发明名称 | 一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法，包括以下步骤：1)制备出具有相变功能的M相二氧化钒薄膜，所述M相二氧化钒薄膜形成于基板上；2)将步骤1)制备的M相二氧化钒薄膜样品置于退火装置中，将退火装置抽真空至真空度为200～2000Pa后保持真空度不变或者抽真空至真空度为200～2000Pa后通入惰性气体至标准大气压，再升温至280～320℃，保温时间为0.5～3h，然后随炉自然冷却至室温，即可得到相变温度降低的二氧化钒薄膜。本发明能够降低纯氧化钒薄膜的相变温度，也能降低掺杂氧化钒薄膜的相变温度，具有非常广阔的使用范围。此外，本发明处理温度低，工艺简单，安全性好，在高端光电功能材料领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104445990A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410673812.2 | 申请日期 | 2014.11.21 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 陶海征;赵新宇;赵修建 |
| 分类号 | C03C17/23(2006.01)I;C04B41/50(2006.01)I;C09K5/06(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 邬丽明;刘锦霞 |
| 主权项 | 一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法，其特征在于，它包括以下步骤：1)制备出具有相变功能的M相二氧化钒薄膜，所述M相二氧化钒薄膜形成于基板上；2)将步骤1)制备的M相二氧化钒薄膜样品置于退火装置中，将退火装置抽真空至真空度为200～2000Pa后保持真空度不变或者抽真空至真空度为200～2000Pa后通入惰性气体至标准大气压，再升温至280～320℃，保温时间为0.5～3h，然后随炉自然冷却至室温，即可得到相变温度降低的二氧化钒薄膜。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||