一种直流耦合型高能脉冲磁控溅射方法

摘要

本发明公开了一种直流耦合型高能脉冲磁控溅射镀膜方法，所述方法包括在高能脉冲磁控溅射电压中耦合入低直流电压，构成磁控溅射耦合电压；由恒定低电压提供稳定的低离化率等离子体，提高薄膜的沉积速率，而高能脉冲电压，实现等离子体的瞬时高离化；协调耦合电压的工作时序，在直流恒压确定的情况下，调控脉冲高压的峰值、频率及占空比，改变耦合电压的脉冲波形，实现对沉积速率和离化率的调整与控制。本发明预置了直流电压，有效降低了脉冲电流迟滞时间；耦合入稳定的直流磁控溅射，有效保证了薄膜沉积速率；建立了一种等离子体离化率可调的HIPIMS磁控溅射技术，为相关科学的研究提供了技术支持。

主权项

一种直流耦合型高能脉冲磁控溅射镀膜方法，所述方法包括在高能脉冲磁控溅射电压中耦合入低直流电压，构成磁控溅射耦合电压；通过协调耦合电压的工作时序，在直流恒压确定的情况下，调控脉冲高压的峰值、频率及占空比，改变耦合电压的脉冲波形，实现对沉积速率和离化率的调整与控制。