一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基材层上采用包括硅烷、磷化氢和氢气的材料沉积形成一N⁺Si掺杂层，并形成相对的第一掺杂层和第二掺杂层；在N⁺Si掺杂层上沉积一a-Si非晶硅层，对a-Si非晶硅层进行镭射退火、图形蚀刻处理，在第一掺杂层和第二掺杂层之间形成a-Si非晶硅层，且在第一掺杂层和a-Si非晶硅层之间形成第一轻掺杂漏极端、第一掺杂层和a-Si非晶硅层之间分别形成第二轻掺杂漏极端，以及在第一掺杂层和第一轻掺杂漏极端上形成第一磷材料结构、在第二掺杂层和第二轻掺杂漏极端上形成第二磷材料结构。本发明通过镭射退火的高温作用，利用N⁺Si掺杂层形成轻掺杂漏极端和磷材料结构，减少光罩的使用次数，简化制作工艺流程。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基材层上采用包括硅烷、磷化氢和氢气的材料沉积形成一N⁺Si掺杂层，并通过图形蚀刻形成相对的第一掺杂层和第二掺杂层；在N⁺Si掺杂层上沉积一a‑Si非晶硅层，对所述a‑Si非晶硅层进行镭射退火、图形蚀刻处理，以在所述第一掺杂层和第二掺杂层之间的通道形成部分a‑Si非晶硅层，且通过高温作用在所述第一掺杂层和所述部分a‑Si非晶硅层之间形成第一轻掺杂漏极端、所述第一掺杂层和所述部分a‑Si非晶硅层之间分别形成第二轻掺杂漏极端，以及在第一掺杂层和第一轻掺杂漏极端上形成第一磷材料结构、在第二掺杂层和第二轻掺杂漏极端上形成第二磷材料结构；在所述部分a‑Si非晶硅层上制作栅极金属层，并分别在位于所述栅极金属层两侧的第一掺杂层上制作源极金属层、在第二掺杂层上制作漏极金属层。