发明名称 | 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液,该抛光液包括研磨颗粒和水,其还包括一种或多种氧化剂。本发明的抛光液可以在碱性条件下显著改变多晶硅的去除速率,调节多晶硅与二氧化硅的选择比,并明显提高多晶硅的平坦化效率和抛光残留物的去除。 | ||
申请公布号 | CN103045099B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
申请号 | CN201210548151.1 | 申请日期 | 2007.09.14 |
申请人 | 安集微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 荆建芬;张建;蔡鑫元 |
分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
主权项 | 一种化学机械抛光液在抛光多晶硅中的应用,该抛光液由研磨颗粒,水和一种或多种氧化剂组成,且所述的抛光液的pH值为7~12。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室 |