| 发明名称 | MOS器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构顶部具有硬掩模层；在所述伪栅结构两侧形成侧墙；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极；采用第一偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻所述硬掩模层和所述侧墙；采用第二偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻剩余的所述硬掩模层和所述侧墙。所述MOS器件的制作方法能够去除所述硬掩模层和所述侧墙，并且可以防止在去除所述硬掩模层和所述侧墙的过程中，对所述金属硅化物造成严重破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN104465385A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310439142.3 | 申请日期 | 2013.09.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 于书坤;韦庆松 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构顶部具有硬掩模层；在所述伪栅结构两侧形成侧墙；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极；采用第一偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻所述硬掩模层和所述侧墙；采用第二偏置电压干法刻蚀工艺蚀刻剩余的所述硬掩模层和所述侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||