发明名称 |
一种基于高阻硅衬底的LDMOS MMIC芯片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种基于高阻硅衬底的LDMOS MMIC芯片,所述芯片上集成有LDMOS晶体管、电感、电容、电阻、金属连线与图形和焊盘,其特征是,所述芯片采用无外延层的P型高阻硅衬底;所述芯片正面的LDMOS源极和芯片背面的金属层通过硅衬底通孔技术连接。本实用新型所达到的有益效果:采用高阻硅衬底,以及硅衬底通孔技术将芯片正面的LDMOS源极与芯片背面的金属层连接。高阻硅衬底使得片上电感、电容、电阻、金属连线与图形和焊盘等的对地寄生电容和损耗降低,LDMOS MMIC的性能得到提高,从而可以减少金属互联的层数,降低成本。同时本技术能降低LDMOS晶体管N型漏极和漂移区与P型衬底之间的PN结电容,使得LDMOS晶体管的输出电容降低,增加了LDMOS器件的带宽与功率转换效率。 |
申请公布号 |
CN204230242U |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201420762350.7 |
申请日期 |
2014.12.08 |
申请人 |
江苏博普电子科技有限责任公司 |
发明人 |
陈强;多新中;张复才;沈美根;任春岭 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
董建林 |
主权项 |
一种基于高阻硅衬底的LDMOS MMIC芯片,所述芯片上集成有LDMOS晶体管、电感、电容、电阻、金属连线与图形和焊盘,其特征是,所述芯片正面的LDMOS源极和芯片背面之间设置有衬底;所述衬底采用无外延层的P型高阻硅衬底;所述芯片正面的LDMOS源极和芯片背面的金属层通过硅通孔技术连接。 |
地址 |
214131 江苏省无锡市高浪路999号启航大厦11层 |