双重图形光刻对准方法

摘要

本发明公开了一种双重图形光刻对准方法，通过在第二硬掩模层形成多个浅槽，并在第二硬掩模层和第一硬掩模层形成多个深槽，由此形成浅槽和深槽间隔而设的深度不同的对准标记，以增强对准标记的信号强度，易于被采集到。本发明较佳地通过调整两个硬掩模层的厚度，控制浅槽和深槽的深度，以使得浅槽和深槽在深度-信号强度正弦波一个周期波峰的两侧，并使其信号强度相同，以进一步增强信号强度，更易于被采集到。本发明尤其适用于硬掩模厚度较小、对准标记深度有限的双重图形工艺情况。

主权项

一种双重图形光刻对准方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供硅片，其自下而上依次具有衬底、第一硬掩模层和第二硬掩模层；步骤S02，第一次光刻刻蚀所述第二硬掩模层，使所述第二硬掩模层具有多个浅槽；步骤S03，第二次光刻刻蚀相邻浅槽中间的第二硬掩模层以及第一硬掩模层，形成多个深槽，所述浅槽与深槽间隔而设，形成对准标记；步骤S04，对所述浅槽和深槽形成的对准标记进行对准信号采集。