发明名称 |
一种NAND flash的访问方法和装置 |
摘要 |
本发明提供了一种NAND flash的访问方法和装置。所述方法包括:描所述NAND flash中的坏块,并记录所述NAND flash中坏块的地址;接收对所述NAND flash的操作,将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配;若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址,则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。本发明可以避免NAND flash使用中出现坏块标志被擦掉,造成写操作的混乱和不稳定的问题。 |
申请公布号 |
CN104461750A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201310451851.3 |
申请日期 |
2013.09.25 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
苏志强;刘会娟 |
分类号 |
G06F11/00(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G06F11/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
代理人 |
苏培华 |
主权项 |
一种NAND flash的访问方法,其特征在于,包括:扫描所述NAND flash中的坏块,并记录所述NAND flash中坏块的地址;接收对所述NAND flash的操作,将所述操作所访问的所述NAND flash中数据存储块的地址与记录的坏块的地址进行匹配;若记录的坏块的地址中包含所述操作所访问的存储块的地址,则返回表示所述操作所访问的存储块为坏块的信息。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |