发明名称 |
非晶硅薄膜太阳电池的制备方法及非晶硅薄膜太阳电池 |
摘要 |
本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池的制备方法,所述制备方法包括:提供一衬底,在所述衬底上形成前电极,所述前电极为掺杂氧化锌透明前电极;在所述前电极上形成接触层,所述接触层的形成材料为锗化物;在所述接触层上形成PIN结层;在所述PIN结层上形成背电极。相应的,本发明还提供了一种非晶硅薄膜太阳电池。本发明提供的制备方法在前电极和PIN结层之间插入一层厚度较薄的锗化物,可有效防止氧和锌进入非晶硅薄膜电池中,从而改善非晶硅薄膜的质量,提高电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN104465894A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410830797.8 |
申请日期 |
2014.12.26 |
申请人 |
浙江正泰太阳能科技有限公司 |
发明人 |
刘石勇;牛新伟;李旺;朱登华;刘路;王仕鹏;黄海燕;陆川 |
分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
冯谱 |
主权项 |
一种非晶硅薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括步骤:a)提供一衬底,在所述衬底上形成前电极,所述前电极为掺杂氧化锌透明前电极;b)在所述前电极上形成接触层,所述接触层的形成材料为锗化物;c)在所述接触层上形成PIN结层;d)在所述PIN结层上形成背电极。 |
地址 |
310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号 |