RB-SiC基底反射镜表面改性层的制备方法

摘要

本发明提供一种RB-SiC基底反射镜表面改性层的制备方法，属于薄膜沉积技术领域。本发明包括以下步骤：一、镀膜条件准备：将Si靶材安装在镀膜机孪生溅射阴极上，将RB-SiC基底进行表面清洗处理后，固定在镀膜机工件夹具上，将镀膜机抽真空，对RB-SiC基底进行烘烤；二、溅射阴极Si靶材表面处理：溅射阴极通入Ar气，调节中频电源功率对Si靶材表面进行预溅射处理；三、制备Si改性层：增加中频电源功率和Ar气通气量，采用中频磁控溅射技术在RB-SiC基底上沉积Si改性层。本发明制备过程大大简化，膜层致密度高，膜质均匀，显著改善了其抛光特性，使抛光后基底表面的光学质量得到较大提升。

主权项

RB‑SiC基底反射镜表面改性层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、镀膜条件准备：将Si靶材安装在镀膜机孪生溅射阴极上，将RB‑SiC基底进行表面清洗处理后，固定在镀膜机工件夹具上，将镀膜机抽真空，对RB‑SiC基底进行烘烤；步骤二、溅射阴极Si靶材表面处理：溅射阴极通入Ar气，调节中频电源功率对Si靶材表面进行预溅射处理；步骤三、制备Si改性层：增加中频电源功率和Ar气通气量，采用中频磁控溅射技术在RB‑SiC基底上沉积Si改性层。