发明名称 |
一种高压发光二极管结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种高压发光二极管结构及其制造方法,包括:生长衬底;藉由多个直至生长衬底的沟槽相互隔离的多个发光单元,其中,所述发光单元包括:依次层叠的N型层、量子阱层、P型层及电流扩展层、N型台阶以及台阶侧壁、N焊盘、及P焊盘;绝缘介质层,覆盖于沟槽侧壁表面、N型台阶部分表面、台阶侧壁表面及电流扩展层表面;反射镜,覆盖于绝缘介质层表面;桥接结构,连接于相邻的两个发光单元的N焊盘与P焊盘之间,实现多个发光单元的串联;荧光粉,涂覆于生长衬底的背面。本发明实现了一种倒装的高压发光二极管结构;荧光粉涂覆于生长衬底,工艺简单,涂覆均匀;各该发光单元侧壁及表面均制作有反射镜,大大提高了出光效率。 |
申请公布号 |
CN104465691A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201310423175.9 |
申请日期 |
2013.09.16 |
申请人 |
上海蓝光科技有限公司 |
发明人 |
朱广敏;郝茂盛 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种高压发光二极管结构,其特征在于,至少包括:生长衬底;多个发光单元,位于所述生长衬底之上,且所述多个发光单元藉由多个直至所述生长衬底的沟槽相互隔离;其中,所述发光单元包括:依次层叠的N型层、量子阱层、P型层及电流扩展层;去除了靠近沟槽一侧的部分电流扩展层、P型层、量子阱层及部分N型层所形成的N型台阶以及台阶侧壁;结合于所述N型台阶表面的N焊盘;以及结合于所述电流扩展层表面的P焊盘;绝缘介质层,覆盖于所述沟槽侧壁表面、N型台阶部分表面、台阶侧壁表面及电流扩展层表面;反射镜,覆盖于所述绝缘介质层表面;桥接结构,连接于相邻的两个发光单元的N焊盘与P焊盘之间,实现多个发光单元的串联;荧光粉,涂覆于所述生长衬底的背面。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 |