发明名称 一种高压发光二极管结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种高压发光二极管结构及其制造方法,包括:生长衬底;藉由多个直至生长衬底的沟槽相互隔离的多个发光单元,其中,所述发光单元包括:依次层叠的N型层、量子阱层、P型层及电流扩展层、N型台阶以及台阶侧壁、N焊盘、及P焊盘;绝缘介质层,覆盖于沟槽侧壁表面、N型台阶部分表面、台阶侧壁表面及电流扩展层表面;反射镜,覆盖于绝缘介质层表面;桥接结构,连接于相邻的两个发光单元的N焊盘与P焊盘之间,实现多个发光单元的串联;荧光粉,涂覆于生长衬底的背面。本发明实现了一种倒装的高压发光二极管结构;荧光粉涂覆于生长衬底,工艺简单,涂覆均匀;各该发光单元侧壁及表面均制作有反射镜,大大提高了出光效率。
申请公布号 CN104465691A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201310423175.9 申请日期 2013.09.16
申请人 上海蓝光科技有限公司 发明人 朱广敏;郝茂盛
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种高压发光二极管结构,其特征在于,至少包括:生长衬底;多个发光单元,位于所述生长衬底之上,且所述多个发光单元藉由多个直至所述生长衬底的沟槽相互隔离;其中,所述发光单元包括:依次层叠的N型层、量子阱层、P型层及电流扩展层;去除了靠近沟槽一侧的部分电流扩展层、P型层、量子阱层及部分N型层所形成的N型台阶以及台阶侧壁;结合于所述N型台阶表面的N焊盘;以及结合于所述电流扩展层表面的P焊盘;绝缘介质层,覆盖于所述沟槽侧壁表面、N型台阶部分表面、台阶侧壁表面及电流扩展层表面;反射镜,覆盖于所述绝缘介质层表面;桥接结构,连接于相邻的两个发光单元的N焊盘与P焊盘之间,实现多个发光单元的串联;荧光粉,涂覆于所述生长衬底的背面。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号