发明名称 |
沟槽型场效应晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种沟槽型场效应晶体管,P阱形成于外延层的顶部区域;源区,形成于P阱的顶部区域;栅沟槽穿过源区和P阱;在栅沟槽底部填充有多晶硅栅、顶部填充有层间膜;各原胞结构的源区之间形成有P阱的接出区域,接出区域的顶部表面形成有P型重掺杂的P阱引出区、底部保持为P阱的掺杂条件;在源区、P阱引出区和层间膜的表面形成有由正面金属层组成的源极,源极的正面金属层直接同时接触源区和P阱引出区。本发明不需要采用接触孔来引出源极,能缩小原胞尺寸、提高沟道密度、降低导通电阻,还能降低工艺成本。 |
申请公布号 |
CN104465780A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410837525.0 |
申请日期 |
2014.12.24 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
韩健;邵向荣 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
郭四华 |
主权项 |
一种沟槽型场效应晶体管,沟槽型场效应晶体管由多个原胞结构并联形成,其特征在于,包括:N型衬底以及形成于所述衬底顶部表面的N型轻掺杂外延层;P阱,形成于所述外延层的顶部区域;N型重掺杂的源区,形成于所述P阱的顶部区域;多个栅沟槽,所述栅沟槽穿过所述源区和所述P阱并进入到所述P阱底部的所述外延层内;在所述栅沟槽的侧面和底部表面形成有栅介质层,在所述栅沟槽底部填充有多晶硅栅、顶部填充有层间膜,所述多晶硅栅侧面覆盖整个所述P阱的纵向深度且被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述P阱的表面用于形成连接所述源区和所述外延层的沟道;和一个所述沟道对应的所述多晶硅栅、所述源区和所述外延层形成一个所述原胞结构;各所述原胞结构的所述源区之间形成有所述P阱的接出区域,所述接出区域的顶部表面形成有P型重掺杂的P阱引出区,所述P阱引出区底部保持为所述P阱的掺杂条件;在所述源区、所述P阱引出区和所述层间膜的表面形成有由正面金属层组成的源极,所述源极的正面金属层直接同时接触所述源区和所述P阱引出区;在所述衬底的背面形成有由背面金属层组成的漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |