| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及电路结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及电路结构，以改善薄膜晶体管的阈值电压的漂移特性。本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：栅极、半导体层、刻蚀阻挡层以及和所述半导体层连接的源电极和漏电极，所述薄膜晶体管还包括：设置于所述刻蚀阻挡层上的阻挡结构；所述阻挡结构与所述源电极、漏电极电隔离，且所述阻挡结构在所述刻蚀阻挡层上的正投影和所述半导体层在所述刻蚀阻挡层上的正投影至少部分重叠。本发明改善了薄膜晶体管的阈值电压的漂移特性。 | ||
| 申请公布号 | CN104465787A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410855068.8 | 申请日期 | 2014.12.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王孝林;姚星;严允晟;韩承佑;林允植 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极、半导体层、刻蚀阻挡层以及和所述半导体层连接的源电极和漏电极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置于所述刻蚀阻挡层上的阻挡结构；所述阻挡结构与所述源电极、漏电极电隔离，且所述阻挡结构在所述刻蚀阻挡层上的正投影和所述半导体层在所述刻蚀阻挡层上的正投影至少部分重叠。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||