一种基于AZO/二氧化硅结构的导电材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于AZO／SiO₂结构的导电材料，该导电材料是由作为载体的具有三维超薄结构的二氧化硅大孔材料以及负载在该二氧化硅大孔材料的三维孔道内的AZO组成，其中二氧化硅大孔材料的厚度为20～50nm，该导电材料中AZO的含量为31～67wt.％，所述AZO中，Zn与Al的元素摩尔比为10：1～15：1。本发明使用一种改进的溶胶／凝胶方法将AZO这种导电材料负载到三维结构的二氧化硅纳米薄层上，最后形成一种复合型的AZO／SiO₂大孔电极材料，这样就可以集导电性、可见光透过性与吸附性于一体，适用于进一步负载光敏物质，制造光敏性电极材料以及太阳能电池。

主权项

一种基于AZO／二氧化硅结构的导电材料，其特征在于：是由作为载体的具有三维超薄结构的二氧化硅大孔材料以及负载在该二氧化硅大孔材料的三维孔道内的AZO组成，所述二氧化硅大孔材料的厚度为20～50nm，该导电材料中AZO的含量为31～67wt.％，所述AZO中，Zn与Al的元素摩尔比为10：1～15：1。