多Vt场效应晶体管器件

摘要

提供多阈值(Vt)场效应晶体管(FET)器件及其制造技术。在一个方面，提供一种FET器件，其包括：源极区；漏极区；至少一个沟道，其使所述源极区与所述漏极区互连；以及栅极，其围绕所述沟道的至少一部分，所述栅极被配置为归因于遍及所述栅极的至少一种带边金属的选择性放置而具有多个阈值。

主权项

一种场效应晶体管器件，其包括：源极区；漏极区；至少一个沟道，其使所述源极区与所述漏极区互连；以及栅极，其围绕所述沟道的至少一部分，所述栅极被配置为归因于遍及所述栅极的至少一种带边金属的选择性放置而具有多个阈值电压，使所述源极区与所述漏极区互连的多个鳍片，其用作所述器件的所述沟道，每一鳍片具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面；使所述鳍片与所述栅极分隔的介电层；在所述介电层上的第一金属层；一系列第二金属层，其包含在每一鳍片的所述第二侧面处的所述第一金属层上的所述至少一种带边金属。