发明名称 半导体器件
摘要 本申请公开一种半导体器件,包括:半导体衬底,其主表面上形成光接收元件区;第一突起部,其设置在半导体衬底的主表面上的光接收元件区的周围,基本上为矩形,且矩形的四个角为弧形;粘合材料层,其设置在半导体衬底的主表面上的第一突起部的外围;第二突起部,其设置在粘合材料层的周围;透明板,其由第一突起部及第二突起部支撑,并通过粘合材料层固定在光接收元件区的上方;支撑衬底,其固定至半导体衬底;以及贯通电极,其电连接半导体衬底与支撑衬底;贯通电极贯通第一突起部与第二突起部之间的半导体衬底的内部而形成。本申请具有能够增加半导体元件的光接收表面上的入射光量的简单结构。
申请公布号 CN102751301B 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201210211327.4 申请日期 2006.05.16
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 吉本和浩;下别府佑三;手代木和雄;新城嘉昭
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 李玉锁;张浴月
主权项 一种半导体器件,包括:半导体衬底,其主表面上形成光接收元件区;第一突起部,其设置在所述半导体衬底的主表面上的光接收元件区的周围,基本上为矩形,且该矩形的四个角为弧形;第二突起部,其设置在所述半导体衬底的主表面的外围上且位于所述第一突起部的外部;粘合材料层,其设置在所述第一突起部与所述第二突起部之间;透明板,其由所述第一突起部及所述第二突起部支撑,并通过该粘合材料层固定在所述光接收元件区的上方;支撑衬底,其固定至所述半导体衬底;以及贯通电极,其电连接所述半导体衬底与所述支撑衬底;其中,所述贯通电极设置在所述第一突起部与所述第二突起部之间的所述半导体衬底中以贯通所述半导体衬底的内部;以及所述透明板安装在所述第一突起部、所述第二突起部和所述粘合材料层上,并通过所述粘合材料层固定在所述光接收元件区的上方,而不使所述透明板与所述半导体衬底上的微透镜接触,且所述第一突起部和所述第二突起部与所述半导体衬底上的微透镜分离。
地址 日本神奈川县横滨市