| 发明名称 | 电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本文中描述电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法。处理电阻式存储器的一个或一个以上方法实施例包含：在层间电介质中的开口中保形地形成单元材料，使得在所述单元材料中形成接缝；通过对所述接缝进行改性来形成导电通路；及在所述单元材料及所述接缝上形成电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102754207B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201180008673.6 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 古尔特杰·S·桑胡;约翰·A·斯迈思三世 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种处理电阻式存储器单元(212)的方法，其包括：在层间电介质(104)中的开口(106)中保形地形成单元材料(108)，使得在所述单元材料(108)中形成接缝(110、110‑1、110‑2)；通过对所述接缝(110、110‑1、110‑2)进行改性来形成导电通路，其中对所述接缝(110、110‑1、110‑2)进行改性包含在所述接缝(110、110‑1、110‑2)中形成细丝(114)；在所述接缝(110、110‑1、110‑2)中形成所述细丝(114)之后，加热所述细丝(114)；及在所述单元材料(108)及所述接缝上(110、110‑1、110‑2)形成电极(116)。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||