一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法

摘要

本发明是一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法，包括如下工艺步骤：1）制出所需要的生瓷件；2）通过箱式低温烧结设备，采用复合型承烧板低温烧结成型出混合导体低温共烧陶瓷基板；3）在低温共烧陶瓷基板的表面采用金导体；4）在低温共烧陶瓷基板的内部采用银导体；5）在低温共烧陶瓷基板表面的金电极与内层银电极之间插入一层过渡金属材料，利用中和金银异种金属间高温扩散速率差异性能，在低温共烧过程中形成可靠的电连接。优点：通过采用混合导体低温共烧陶瓷方法，在不改变产品设计的前提下，有效降低产品的生产成本，同时产品的性能与可靠性与以往的全金低温共烧陶瓷基板相当，可广泛应用于微电子领域各类模块与组件。

主权项

一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：1）按照设计规则完成低温共烧陶瓷基板的电路布线设计，要求在尺寸精确且致密的生瓷带上，利用激光打孔、微孔注浆、打平、填孔减薄、精密导体浆料印刷工艺制出所需要的电路图形，不同的陶瓷层按照工艺方案选用不同的金属化浆料，利用激光开腔、叠片工艺制出所需要的生瓷件；2）步骤1）加工的生瓷件通过箱式低温烧结设备，采用复合型承烧板低温烧结成型出混合导体低温共烧陶瓷基板，复合型承烧板为孔隙率20%～60%的氧化铝或氧化锆，温度范围830~880℃，其翘曲度<2μm/mm，填孔凸起<10μm；3）在低温共烧陶瓷基板的表面采用金导体；4）在低温共烧陶瓷基板的内部采用银导体；5）在低温共烧陶瓷基板表面的金导体与内层银导体之间插入一层过渡金属材料，所述的过渡金属材料为Pt‑Au‑Ag三元合金，其金属高温扩散率介于金和银导体之间，中和了金、银两种异种金属间的柯肯达尔效应，在低温共烧过程中形成可靠的电连接，使混合导体低温共烧陶瓷基板，经历‑65℃～+175℃温度范围的500次温度循环，与1000小时的150℃高温贮存仍可保持电路正常逻辑功能。