| 发明名称 | 一种非挥发性SRAM存储单元电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非挥发性SRAM存储单元电路，该电路具有数据存储位置Q点，其特征在于：还增加了一个辅助电路，用于数据存储位置Q点的数据的断电休眠记忆与上电恢复。所述的非挥发性SRAM存储单元电路具体包括：PMOS晶体管M1、M2、M10、C1、C2；NMOS晶体管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M11。M9、M10源极连接Q点，漏极连接C1、C2栅极及M11漏极，M9栅极连接信号WAK，M10栅极连接信号<img file="DDA0000607347910000011.GIF" wi="168" he="70" />C1源极、漏极、衬底连接信号SLP；C2源极、漏极、衬底连接地；M11栅极连接<img file="DDA0000607347910000012.GIF" wi="46" he="86" />点，源极连接地。该电路有效地节省了待机状态下的能量损失。 | ||
| 申请公布号 | CN104464794A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410639661.9 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 无锡星融恒通科技有限公司;北京工业大学 | 发明人 | 汪金辉;王丽娜;吕贵涛;侯立刚;宫娜 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 殷红梅 |
| 主权项 | 一种非挥发性SRAM存储单元电路，该电路具有数据存储位置Q点，其特征在于：还增加了一个辅助电路，用于数据存储位置Q点的数据的断电休眠记忆与上电恢复。 | ||
| 地址 | 214101 江苏省无锡市锡山区芙蓉中三路99号锡山科技园瑞云6座601室 | ||