| 发明名称 | 超级结半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种超级结半导体装置。所述超级结半导体装置包括：单元区和结端子区，设置在基底上；以及过渡区，设置在单元区和结端子区之间，单元区、结端子区和过渡区均包括一个或更多个单个单元，单个单元包括在单元区和结端子区之间交替的多个N型柱区和多个P型柱区中的一个N型柱区和一个P型柱区。 | ||
| 申请公布号 | CN104465768A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410471756.4 | 申请日期 | 2014.09.16 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 赵文秀;崔彰容;权纯琢;全珖延;金大炳;禹赫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 尹淑梅;韩芳 |
| 主权项 | 一种超级结半导体装置，所述超级结半导体装置包括：单元区和结端子区，设置在基底上；以及过渡区，设置在单元区和结端子区之间，其中，单元区、结端子区和过渡区均包括一个或更多个单个单元，单个单元包括在单元区和结端子区之间交替的多个N型柱区和多个P型柱区中的一个N型柱区和一个P型柱区，并且在过渡区中的单个单元的平均宽度比在单元区或结端子区中单个单元的平均宽度小。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||