增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，特别是增强型AlGaN/GaN HEMT的制备方法，其包括：（1）在衬底材料上先外延至少以缓冲层，以缓解衬底材料和GaN的晶格适配和应力适配，再外延高阻GaN层和20～100nm的无掺杂GaN；（2）在GaN层之上依次外延AlN层、InGaN层；（3）在InGaN层之上沉积氮化硅或氧化硅层；（4）利用光刻、腐蚀等工艺进行HEMT栅极选区，保留栅电极区域的氮化硅或氧化硅层；（5）在器件上进行AlGaN材料外延；（6）用湿法腐蚀去除栅电极区域氮化硅或氧化硅层和InGaN层；（7）在器件上制作HEMT 器件的源、漏、栅电极。本发明可以获得半导体器件，特别是增强型HEMT器件，且工艺可控，对器件结构没有损伤，尤其是保持GaN/AlGaN界面处的零损伤等特点，并使得器件具有优良性能。

主权项

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）在衬底材料上外延至少一缓冲层，用以缓解衬底材料和GaN材料的晶格适配和应力适配，再在缓冲层上外延生长具有高阻特性的GaN层和无掺杂GaN层；（2）在所述无掺杂GaN层之上依次外延生长高温AlN层和InGaN层；（3）在所述InGaN层之上沉积氮化硅或氧化硅层；（4）利用刻蚀工艺进行HEMT器件的栅极选区，并保留栅电极区域的氮化硅或氧化硅层；（5）在步骤（4）所获器件上外延生长AlGaN材料层；（6）去除栅电极区域的氮化硅或氧化硅层以及InGaN层；（7）在步骤（6）所获器件上制作源、漏、栅电极，并退火形成欧姆接触和肖特基接触。