| 发明名称 | 准分子激光退火前处理方法、薄膜晶体管及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种准分子激光退火前处理方法，包括：i)用化学气相沉积法在基板上依次沉积SiNx层、SiOx层和和非晶硅层，得到沉积基板；ii)然后，对所述沉积基板进行加热去氢，并在去氢的同时使用O<sub>2</sub>将部分表面非晶硅氧化生成均匀的<img file="DDA0000650318870000011.GIF" wi="170" he="67" />厚度的氧化层；iii)去氢结束时同时停止通O<sub>2</sub>，待冷却后，将步骤ii)得到的沉积基板进入清洗机，用水清洗所述沉积基板。本发明还提供了一种薄膜晶体管基板的生产方法以及由该方法生产的薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN104465371A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410856208.3 | 申请日期 | 2014.12.31 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 唐丽娟 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;陈伟 |
| 主权项 | 一种准分子激光退火前处理方法，包括：i)用化学气相沉积法在基板上依次沉积SiNx层、SiOx层和和非晶硅层，得到沉积基板；ii)然后，对所述沉积基板进行加热去氢，并在去氢的同时使用O<sub>2</sub>将部分表面非晶硅氧化生成均匀的<img file="FDA0000650318840000011.GIF" wi="161" he="61" />厚度的氧化层；iii)去氢结束时同时停止通O<sub>2</sub>，待冷却后，将步骤ii)得到的沉积基板进入清洗机，用水清洗所述沉积基板。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||