| 发明名称 | 氧化硅膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。 | ||
| 申请公布号 | CN104451599A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410466613.4 | 申请日期 | 2014.09.12 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 田村辰也;熊谷武司;千叶贵司 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种氧化硅膜的制造方法，其中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置所述基板的步骤之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体，在开始供给所述氢气的步骤之后，实施开始供给所述氧化气体的步骤和开始供给所述含硅气体的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||