| 发明名称 | 全包围栅极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种全包围栅极结构及其制造方法，利用湿法各向异性刻蚀有源区的硅线条，使硅线条悬空，可以减少工艺复杂性，降低成本，能很好地控制有源区尺寸，且本方法与现有的集成电路平面工艺相兼容，所形成的全包围栅极结构能有效地控制沟道，得到所需要的器件特性。 | ||
| 申请公布号 | CN104465354A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410835991.5 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 储佳 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种全包围栅极结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供形成有SOI结构的硅片，并刻蚀形成顶层硅线条；步骤S02，在具有硅线条的硅片上沉积氧化层；步骤S03，利用光刻刻蚀所述氧化层，露出具有硅线条的有源区；步骤S04，利用湿法各向异性刻蚀所述有源区，使所述硅线条悬空；步骤S05，在所述悬空的硅线条表面生长栅介质；步骤S06，在所述有源区淀积多晶硅，并图形化以形成全包围栅极结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||