发明名称 |
背侧照明CMOS图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种具有凸起的光接收面的背侧照明CMOS图像传感器及其制造方法。背侧照明CMOS图像传感器包括金属层、绝缘层和光电二极管。绝缘层在金属层上。光电二极管在绝缘层上,光电二极管的接收光的顶面是弯曲的。制造具有带凸起表面的光电二极管的背侧照明CMOS图像传感器的方法包括:在光电二极管的光接收面的一部分上形成小于光电二极管的岛;以及退火所述岛以形成具有凸起的光接收面的光电二极管。 |
申请公布号 |
CN102194838B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201110027994.2 |
申请日期 |
2011.01.26 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
安正*;李景镐 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种背侧照明CMOS图像传感器,包括:导电层;在所述导电层上的绝缘层;在所述绝缘层上的具有至少一个弯曲表面的光电二极管,所述光电二极管的所述至少一个弯曲表面具有使得入射到所述光电二极管的外部的光被集中到所述光电二极管的中心部分的曲率;以及在所述光电二极管上的滤色器,所述滤色器的距所述光电二极管最远的表面是弯曲的。 |
地址 |
韩国京畿道 |