半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。本发明的半导体结构中的二极管的切换速度高、开启电阻低。此外，本发明的二极管能自隔离于其它元件，需要的设计面积小且制造成本低。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括一二极管，其中该二极管包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；以及一第三掺杂区，具有该第一导电型；其中，该第二掺杂区与该第三掺杂区通过该第一掺杂区分开，该第三掺杂区具有相邻近的一第一部分与一第二部分，该第一部分与该第二部分分别靠近与远离该第二掺杂区，该第一部分的掺杂浓度大于该第二部分的掺杂浓度，该第一掺杂区包括一顶层，该顶层的一边缘位于该第三掺杂区的相对的边缘之间。