发明名称 |
一种透明氮化铝陶瓷的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种透明氮化铝陶瓷的制造方法,氮化铝陶瓷粉体置于放电等离子烧结设备中进行预烧结,高纯氮气保护,预烧结温度范围1500-1700℃,保温时间3-10min,轴向压力10-20MPa,获得氮化铝预烧结体,然后将氮化铝预烧结体置于真空烧结炉中进行无压烧结,无压烧结在流动高纯氮气气氛中进行,无压烧结温度范围:1700-1800℃,保温时间1-6h,冷却后制得所述透明氮化铝陶瓷。本发明方法制备的氮化铝陶瓷在微观上具有干净的晶界和发育良好的晶粒结构,宏观上呈现透明状态。 |
申请公布号 |
CN104446498A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410663094.0 |
申请日期 |
2014.11.19 |
申请人 |
浙江工业大学 |
发明人 |
乔梁;郑精武;车声雷;姜力强 |
分类号 |
C04B35/581(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/581(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天正专利事务所有限公司 33201 |
代理人 |
黄美娟;王晓普 |
主权项 |
一种透明氮化铝陶瓷的制造方法,起特征在于所述方法为:氮化铝陶瓷粉体,放于石墨模具中,然后置于放电等离子烧结设备中进行预烧结,高纯氮气保护,预烧结温度范围1500‑1700℃,保温时间3‑10min,轴向压力10‑20MPa,获得氮化铝预烧结体,然后将氮化铝预烧结体置于真空烧结炉中进行无压烧结,无压烧结在流动高纯氮气气氛中进行,无压烧结温度范围:1700‑1800℃,保温时间1‑6h,冷却后制得所述透明氮化铝陶瓷。 |
地址 |
310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号 |