发明名称 |
CMOS工艺恒定增益放大器 |
摘要 |
CMOS工艺恒定增益放大器,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。采用本发明所述CMOS工艺恒定增益放大器,用于电阻器件对流过两个差分之路的电流进行分流,使输入级的漏极电压近似,从而对输入级对管的跨导进行了平衡,运算放大器的增益跟随输入差分电压变化而的幅度大大缩小。 |
申请公布号 |
CN104467719A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201310424308.4 |
申请日期 |
2013.09.18 |
申请人 |
何阳 |
发明人 |
何阳 |
分类号 |
H03G3/30(2006.01)I |
主分类号 |
H03G3/30(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
CMOS工艺恒定增益放大器,基于CMOS工艺,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。 |
地址 |
610000 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |