发明名称 CMOS工艺恒定增益放大器
摘要 CMOS工艺恒定增益放大器,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。采用本发明所述CMOS工艺恒定增益放大器,用于电阻器件对流过两个差分之路的电流进行分流,使输入级的漏极电压近似,从而对输入级对管的跨导进行了平衡,运算放大器的增益跟随输入差分电压变化而的幅度大大缩小。
申请公布号 CN104467719A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201310424308.4 申请日期 2013.09.18
申请人 何阳 发明人 何阳
分类号 H03G3/30(2006.01)I 主分类号 H03G3/30(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 CMOS工艺恒定增益放大器,基于CMOS工艺,包括输入级对管和负载,其特征在于:所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导,A为预设的离散参数。
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