绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。IGBT包括在两个单元沟槽结构之间从半导体部分的第一表面延伸至该半导体部分的层部分的台面部分。电连接至发射极电极的源区形成于该台面部分中。通过互补导电类型的体区与该源区分开的掺杂区，包括具有第一平均净杂质浓度的第一部分以及具有第二平均净杂质浓度的第二部分，该第二平均净杂质浓度超过至少10倍的第一平均净杂质浓度。在台面部分中，第一部分从体区延伸至层部分。掺杂区的第二部分虚拟地缩小了该IGBT在正常导通状态下的台面部分。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管，包括：台面部分，其在两个单元沟槽结构之间从半导体部分的第一表面延伸至所述半导体部分的层部分；源区，其形成于所述台面部分中并且电连接至发射极电极；以及掺杂区，其通过互补的导电类型的体区与所述源区分开，所述掺杂区包括具有第一平均净杂质浓度的第一部分和具有超过至少十倍的所述第一平均净杂质浓度的第二平均净杂质浓度的第二部分，其中所述第一部分从所述体区延伸至所述层部分。