半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝，该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法，通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时，对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包含以下工序：(a)将固定有半导体芯片的引线框设置在成型模具中，通过密封树脂密封上述半导体芯片，来在上述引线框上形成树脂密封体，在此，上述引线框包括以下部分：(i)冲模垫，其固定有上述半导体芯片；(ii)从上述冲模垫的外部周边以与上述树脂密封体的底面形成大致同一平面的方式延伸并到达上述树脂密封体的侧面的多个内引线、以及与上述多个内引线分别连结并从上述树脂密封体的上述侧面突出的多个外引线；(iii)堤坝，其将上述多个外引线的外端部附近连结起来；以及(iv)引线间树脂突出部，其填充于上述多个外引线之间，从上述树脂密封体的上述侧面突出，并且，由上述密封树脂形成，上述半导体器件的制造方法还包括以下工序：(b)在上述工序(a)之后，通过向上述外引线以及上述引线间树脂突出部照射激光，来去除上述引线间树脂突出部，(c)在上述工序(b)之后，在上述多个外引线的从上述树脂密封体突出的表面形成焊锡层，在此，上述工序(b)包括以下工序：(b1)通过照射上述激光来除去位于相邻的上述外引线之间的上述树脂密封体的上述侧面的第一部分。