| 发明名称 | 用于确定半导体器件的热阻抗的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于确定半导体器件的热阻抗的方法，其中给所述半导体器件通加热电流（101、201），确定所述半导体器件上的损耗功率，检测所述半导体器件上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）并且将所述半导体器件的热阻抗作为所确定的温度和所确定的损耗功率的商来确定（106、208）。 | ||
| 申请公布号 | CN104465316A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410480442.0 | 申请日期 | 2014.09.19 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | O.D.科勒;J.霍姆特;M.里希特 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杜荔南;胡莉莉 |
| 主权项 | 用于确定半导体器件（H1）的热阻抗的方法，其中－给所述半导体器件（H1）通加热电流（101、201），－确定所述半导体器件（H1）上的损耗功率（102、203），－检测所述半导体器件（H1）上的依赖于半导体器件的温度的电压降（103、205），－由所检测的电压降将半导体器件关于时间的温度作为加热曲线来确定（104、207）和－将所述半导体器件（H1）的热阻抗确定为所确定的温度和所确定的损耗功率的商（106、208）。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||