发明名称 一种陶瓷基复合材料热损伤裂纹的修复方法
摘要 本发明涉及一种陶瓷基复合材料热损伤裂纹的修复方法,直接将带有热损伤裂纹的试样表面整个SiC涂层彻底磨削掉,再重新沉积SiC涂层。不仅可以使沉积表面平整还能使磨掉整个SiC涂层的C/SiC复合材料打开闭气孔,有利于后续基体与涂层沉积变得更为致密,减小密度梯度;还可以有效地修复SiC基体内部形成的裂纹。从而更加有效的提高试样在高温环境下的抗氧化能力。本方法的有效地修复C/SiC的密度缺陷及热损伤。可以减少C/SiC在制备过程中产生的微裂纹,减小C/SiC从表面到内部的密度梯度和孔隙率,使热损伤产生的裂纹逐渐愈合,抗氧化性能恢复且有所提高,使抗弯强度大幅度得到增加。
申请公布号 CN104446666A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410629485.0 申请日期 2014.11.11
申请人 西北工业大学 发明人 成来飞;梅辉;陈曦;孙雨尧
分类号 C04B41/87(2006.01)I 主分类号 C04B41/87(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种陶瓷基复合材料热损伤裂纹的修复方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将二维碳纤维布按进行叠层编织,得到纤维预制体;步骤2:对纤维预制体沉积一炉次的PyC界面层,厚度为200nm,工艺条件为:沉积温度800~1000℃,Ar气流量150~200ml/min,C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>气流量为150~250ml/min,沉积时间72h;步骤3:再进行化学气相沉积SiC基体,工艺条件为:沉积温度800~1000℃,压力2~4kPa,H<sub>2</sub>气流量150~250ml/min,Ar气流量250~350ml/min,三氯甲基硅烷温度25~35℃,H<sub>2</sub>与MTS的摩尔比为8~12、沉积时间六炉次,每次120小时,得到原始试样母板;步骤4:采用砂轮打磨母原始试样板的表面,打开开气孔,然后切割成所需尺寸,再以与步骤3同样的工艺条件沉积两炉次SiC涂层,得到有SiC涂层的C/SiC;步骤5:采用砂轮磨削掉C/SiC上两炉次SiC涂层,打开开气孔,再以与步骤3同样的工艺条件沉积两炉次SiC涂层;以此作为制备裂纹的密度梯度缺陷修复方法;步骤6:在氩气下1900℃进行热处理2小时,相当于对C/SiC进行高温考核,从而引入热损伤,使试样产生由热损伤引起的涂层和基体裂纹;步骤7:利用和步骤5中所述同样的方法将热损伤试样表面的SiC涂层彻底磨掉为止;步骤8:按照步骤3的方法重新沉积两炉次SiC涂层;步骤9:按照步骤3中的方法重新沉积两炉次SiC涂层,以此作为热损伤修复的方法。
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