| 发明名称 | 一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器 | ||
| 摘要 | 一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器，包括硅质基底，硅质基底的背面中部设有空腔，硅质基底的背面与硼玻璃键合，硼玻璃的中部具有凸台结构，硅质基底的背面空腔与硼玻璃的凸台结构相配合，在硅质基底的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁和第二梁，在硅质基底的背面腐蚀形成平膜，第一梁和第二梁与硅质基底四周的梁共同形成梁膜结构，第一梁和第二梁的两端沿着【100】晶向在应力最大处布置有压敏电阻，四个压敏电阻通过金属引线和焊盘相互连接组成惠斯通电桥，采用了硼玻璃的凸台结构，限位设计更加合理，在满足了高灵敏度与高线性度要求的同时，兼具高过载和高侧向效应抵抗能力的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN104458076A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410704912.7 | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 西安交通大学;西安上尚机电有限公司 | 发明人 | 田边;韩佰锋;李华峰;王鹏;赵玉龙;蒋庄德 |
| 分类号 | G01L1/20(2006.01)I;G01L9/02(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人 | 贺建斌 |
| 主权项 | 一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器，包括硅质基底(1)，其特征在于：硅质基底(1)的背面中部设有空腔，硅质基底(1)的背面与硼玻璃(2)键合，且留有键合余量，硼玻璃(2)的中部设有凸台结构(8)，凸台结构(8)下底面中心位置与硼玻璃(2)上底面中心位置重合，硅质基底(1)的背面空腔与硼玻璃(2)的凸台结构(8)相配合，并预留有工作间隙，在硅质基底(1)的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁(6)和第二梁(7)，在硅质基底(1)的背面腐蚀形成平膜(9)，第一梁(6)和第二梁(7)与硅质基底(1)四周的梁共同形成梁膜结构。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市咸宁路28号 | ||