CMP用研磨液以及研磨方法

摘要

本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R₁）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R₁相同粒径的正球体的比表面积计算值为S₀，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S₁，用S₀去除S₁所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R₁的比Rs/R₁为1.30以下。

主权项

一种CMP用研磨液的应用，其特征在于，所述CMP用研磨液用于将基板中的阻挡金属和层间绝缘膜的一部分除去的研磨，所述基板具有：表面上具有凹部和凸部的所述层间绝缘膜、对所述层间绝缘膜沿着表面进行覆盖的所述阻挡金属的层、填充所述凹部且覆盖所述阻挡金属的导电性物质层，所述CMP用研磨液含有介质和分散在所述介质中的胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足下面(1)～(3)的条件：(1)从通过扫描电子显微镜观察所述胶态二氧化硅粒子得到的图像中选择任意的20个粒子，所述20个粒子的二轴平均一次粒径R₁为35～55nm；(2)具有与在所述(1)中求得的二轴平均一次粒径R₁相同粒径的正球体的比表面积计算值为S₀，通过BET法测定的所述胶态二氧化硅粒子的比表面积为S₁，用S₀去除S₁所得到的值S₁/S₀为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的所述胶态二氧化硅粒子的二次粒径Rs与在所述(1)中求得的二轴平均一次粒径R₁的比Rs/R₁为1.30以下。