光電変換装置およびその製造方法

摘要

第１電極、第１光電変換層、第２電極がこの順で積層されてなる光電変換装置であって、第１光電変換層は、第１電極側から第２電極側に向けて順に積層されている、ｐ型シリコン系半導体層と、微結晶シリコン系半導体からなるｉ型シリコン系半導体層と、リンおよび酸素を含むｎ型シリコン系半導体層と、を有し、ｎ型シリコン系半導体層は、リン濃度が最大である第１部位と層厚方向の位置が同じ位置または前記ｉ型シリコン系半導体層により近い位置に酸素濃度が極大となる第２部位を有する。