| 摘要 |
キャリア移動度の高い｛０３−３８｝面などの特異な結晶面をトレンチ側壁に簡便に形成する技術、ならびに、チャネル部分に相当するトレンチ側壁の殆どが｛０３−３８｝面などで形成されるＳｉＣ半導体素子を提供する。ＳｉＣの（０００１）面またはオフ角８?以下の（０００１）面のオフ面に形成されるトレンチ構造を備え、トレンチ構造にチャネル部分があり、チャネル部分の面積９０％以上が、｛０３−３８｝面または｛０３−３８｝面を＜１−１００＞方向に−８?〜８?の間の角度でオフさせた面である。具体的には、ＳｉＣの（０００１）面のトレンチに対して、熱処理（熱エッチング処理）を施すことにより、トレンチ側壁を｛０３−３８｝面に加工する。熱エッチング処理は、窒素ガスなどの不活性ガスもしくは水素ガスをキャリアガスとし、塩素雰囲気中で、８００℃以上でエッチングを行う。 |
