发明名称 積層焼結セラミック配線基板、及び当該配線基板を含む半導体パッケージ
摘要 <p>本発明に係る積層焼結セラミック配線基板においては、面内導体の少なくとも一部がファインライン化されている。にもかかわらず、ファインライン化された面内導体の断面形状を台形とし、且つ当該台形状の断面の高さ(a)、下底の長さ(c)及び上底の長さ(d)、並びに基板の主面に平行な面内において隣り合う面内導体の台形状の断面の下底の間隔(b)が特定の関係を満たすように構成することにより、配線のオープン(断線)が多発したり、高温高湿環境での信頼性が低下したりする等の問題を抑制することができる。即ち、本発明によれば、微細な配線層を有するにもかかわらず、低いオープン不良率及びショート不良率を有し、且つ高い高温高湿信頼性を有する、積層セラミック配線基板が提供される。また、かかる配線基板を使用することにより、高速化、小型化、及び低背化(薄型化)された信頼性の高い半導体パッケージが提供される。</p>
申请公布号 JPWO2013030931(A1) 申请公布日期 2015.03.23
申请号 JP20110553183 申请日期 2011.08.29
申请人 发明人
分类号 H05K3/46;H01L23/13 主分类号 H05K3/46
代理机构 代理人
主权项
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